- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:场效应管阵列,8-SO
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
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PHKD13N03LT,118 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号:PHKD13N03LT,118
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
- 系列:TrenchMOS?
- FET 类型:2 个 N 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10.4A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 8A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.7nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):752pF @ 15V
- 功率 - 最大值:3.57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
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