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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：场效应管阵列，8-SO
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
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PHKD3NQ10T,518 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：PHKD3NQ10T,518
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
- 系列：TrenchMOS?
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：633pF @ 20V
- 功率 - 最大值：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SO
- PHKD3NQ10T,518优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
