- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:场效应管阵列,8-SO
- 技术参数:MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC
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PHP225,118 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号:PHP225,118
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC
- 系列:-
- FET 类型:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.3A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):250 毫欧 @ 1A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 20V
- 功率 - 最大值:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
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