- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:场效应管阵列,6-HUSON
- 技术参数:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
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PMDPB85UPE,115 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号:PMDPB85UPE,115
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
- 系列:-
- FET 类型:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.9A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):103 毫欧 @ 1.3A,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.1nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):514pF @ 10V
- 功率 - 最大值:515mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:6-HUSON(2x2)
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