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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：场效应管阵列，6-DFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
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PMDXB600UNEZ 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：PMDXB600UNEZ
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
- 系列：TrenchFET
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：600mA
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：620 毫欧 @ 600mA， 4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：21.3pF @ 10V
- 功率 - 最大值：265mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：6-DFN （1.1x1）
- PMDXB600UNEZ优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
