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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：单端场效应管，8-SO
- 技术参数：MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
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PMK30EP,518 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：PMK30EP,518
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
- 系列：TrenchMOS?
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：14.9A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 9.2A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2240pF @ 25V
- 功率 - 最大值：6.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SO
- PMK30EP,518优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
