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- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:单端场效应管,6-DFN2020MD
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
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PMPB40SNA,115 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号:PMPB40SNA,115
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12.9A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):43 毫欧 @ 4.8A, 10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):612pF @ 30V
- 功率 - 最大值:1.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:6-DFN2020MD (2x2)
- PMPB40SNA,115优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。
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