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PMPB43XPE,115 图片
  • 制造厂商:NXP(恩智浦)
  • 类别封装:单端场效应管,6-DFN2020MD
  • 技术参数:MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN
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PMPB43XPE,115 技术参数详情:
  • NXP恩智浦完整型号:PMPB43XPE,115
  • 制造商:NXP(恩智浦半导体)
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):48 毫欧 @ 5A, 4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1550pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:1.7W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:6-DFN2020MD (2x2)
  • PMPB43XPE,115优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。
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