- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:单端场效应管,6-DFN2020MD
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN
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PMPB48EP,115 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号:PMPB48EP,115
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.7A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 4.7A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):860pF @ 15V
- 功率 - 最大值:1.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:6-DFN2020MD (2x2)
- PMPB48EP,115优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。