
- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:FET - 单,TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V SOT23
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PMV20ENR 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号: PMV20ENR
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 功能总体简述: MOSFET N-CH 30V SOT23
- 系列: -
- FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能: 逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss): 30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 6A(Ta)
- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 21毫欧 @ 6A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 10.8nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 435pF @ 15V
- 功率 - 最大值: 510mW
- 安装类型: 表面贴装
- 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装: TO-236AB(SOT23)
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