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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
- 丰富的NXP公司产品，NXP芯片采购平台
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PMWD19UN,518 技术参数详情：
- 制造商产品型号：PMWD19UN,518
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：TrenchMOS?
- 零件状态：停产
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.6A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 3.5A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：700mV @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：28nC @ 5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1478pF @ 10V
- 功率-最大值：2.3W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
- PMWD19UN,518优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
