- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:单端场效应管,SOT-883
- 技术参数:MOSFET N-CH SOT883
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PMZ1000UN,315 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号:PMZ1000UN,315
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:MOSFET N-CH SOT883
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):480mA(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1 欧姆 @ 200mA,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.89nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):43pF @ 25V
- 功率 - 最大值:350mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-101,SOT-883
- 供应商器件封装:SOT-883
- PMZ1000UN,315优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。