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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：FET - 单，3-XFDFN
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V SOT883
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PMZB200UNEYL 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号: PMZB200UNEYL
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 功能总体简述: MOSFET N-CH 30V SOT883
- 系列: -
- FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.4A（Ta）
- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 250 毫欧 @ 1.4A，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 2.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 89pF @ 15V
- 功率 - 最大值: 350mW
- 安装类型: 表面贴装
- 封装/外壳: 3-XFDFN
- 供应商器件封装: DFN1006B-3
- PMZB200UNEYL优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
