- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:FET - 单,3-XFDFN
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V SOT883
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PMZB550UNEYL 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号: PMZB550UNEYL
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 功能总体简述: MOSFET N-CH 30V SOT883
- 系列: -
- FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压(Vdss): 30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 590mA(Ta)
- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 670 毫欧 @ 590mA,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 1.1nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 30.3pF @ 15V
- 功率 - 最大值: 310mW
- 安装类型: 表面贴装
- 封装/外壳: 3-XFDFN
- 供应商器件封装: DFN1006B-3
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