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PSMN030-60YS,115 图片
  • 制造厂商:NXP(恩智浦)
  • 类别封装:单端场效应管,LFPAK56
  • 技术参数:MOSFET N-CH LFPAK
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PSMN030-60YS,115 技术参数详情:
  • NXP恩智浦完整型号:PSMN030-60YS,115
  • 制造商:NXP(恩智浦半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH LFPAK
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):29A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):24.7 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):686pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:56W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供应商器件封装:LFPAK56, Power-SO8
  • PSMN030-60YS,115优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。
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