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- 制造厂商:NXP(恩智浦)
- 类别封装:单端场效应管,8-SO
- 技术参数:MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
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PSMN165-200K,518 技术参数详情:
- NXP恩智浦完整型号:PSMN165-200K,518
- 制造商:NXP(恩智浦半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
- 系列:TrenchMOS?
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):200V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.9A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):165 毫欧 @ 2.5A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):40nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1330pF @ 25V
- 功率 - 最大值:3.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
- PSMN165-200K,518优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。
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