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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：单端场效应管，LFPAK56
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
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PSMN3R0-30YLDX 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：PSMN3R0-30YLDX
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.1 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：46.4nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2939pF @ 15V
- 功率 - 最大值：91W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
- 供应商器件封装：LFPAK56， Power-SO8
- PSMN3R0-30YLDX优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
