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  • 制造厂商:NXP(恩智浦)
  • 类别封装:单端场效应管,TO-220AB
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
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PSMN5R6-100PS,127 技术参数详情:
  • NXP恩智浦完整型号:PSMN5R6-100PS,127
  • 制造商:NXP(恩智浦半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.6 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):141nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8061pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:306W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220AB
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