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半导体和意法MACOM在技术和性能阶段取得突破
(2024年12月21日更新)

产品达到成本和性能的双重目标,现进入认证测试阶段

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实现弹性量产和供应取得了巨大进展

意法半导体公司服务于多个电子应用领域,是世界领先的半导体公司(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商和世界排名第一MACOM技术解决方案控股有限公司(纳斯达克股票代码:MTSI,以下简称“MACOM”) 宣布,射频硅基氮化镓(RF GaN-on-Si)成功制造原型芯片。基于此结果,意法半导体和MACOM将继续携手深化合作。

射频硅基氮化镓5G和6G移动基础设施的应用带来了巨大的发展潜力。第一代射频功率放大器 (PA)金属氧化物半导体主要采用长期存在的横向扩散(LDMOS) 而射频功率技术GaN(氮化镓)能给这些射频功率放大器带来更好的射频特性和更高的输出功率。此外,虽然GaN它可以在硅片或碳化硅上制造 (SiC) 晶圆上制造,但射频碳化硅氮化镓(RF GaN-on-SiC)毕竟不是主流半导体制造工艺,要考虑与高功率应用竞争。SiC晶圆,这些都可能导致更昂贵的成本。半导体和意法 MACOM 正在开发的射频硅基氮化镓技术可以集成到标准半导体行业,在实现竞争性能的同时,也有望带来巨大的经济效益。

由意大利半导体制造的射频硅基氮化镓原型晶圆及相关设备已达到成本和性能Anpec代理目标完全可以与市场上现有的目标相匹配LDMOS和 GaN-on-SiC技术竞争有效。现在,这些原型即将进入认证测试和量产的下一个重要阶段。意大利半导体计划将在 2022 这一新个新的里程碑。为了实现这一进展,意法半导体和 MACOM 研究如何加大投入,加快先进射频硅基氮化镓产品上市。

半导体功率晶体管产品部总经理兼执行副总裁 Edoardo Merli我们相信,该技术的性能水平和工艺成熟度已经达到了挑战现有技术的水平 LDMOS和射频GaN-on-SiC的程度。为无线基础设施等大规模应用带来成本效益和供应链优势。我们与射频硅基氮化镓产品的商业化 MACOM 随着合作项目的不断进步,我们期待着释放这项令人兴奋的技术的所有潜力。”

MACOM 总裁兼首席执行官 Stephen G. Daly 我们继续取得良好的进展,促进硅基氮化镓技术的商业化和大规模生产。我们与意大利半导体的合作是我们射频功率战略的重要组成部分。我相信我们可以在硅基氮化镓技术的目标应用领域赢得市场份额。

关于MACOM
MACOM 为电信、工业、国防、数据中心行业设计制造高性能半导体产品。每年,MACOM为6,000 许多客户提供广泛的产品组合,包括射频、微波、模拟和混合信号以及光学半导体技术。MACOM已通过IATF16949汽车标准、ISO国际质量标准9001ISO14001环境管理标准认证。MACOM 总部设在马萨诸塞州洛厄尔的美国、欧洲和亚洲。

关于意法半导体
半导体技术创造者和创新者4.8万人,掌握了半导体供应链和先进的制造设备。作为半导体垂直整合的制造商 (IDM),意大利半导体与20多万客户和数千名合作伙伴共同开发产品和解决方案,共同构建生态系统,帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇,满足世界对可持续发展的更高需求。意大利半导体技术使人们的出行更加智能化,电力和能源管理更加高效,物联网和互联网应用更加广泛。半导体承诺在2027年实现碳中和。详情请浏览意大利半导体公司网站:www.st.com

关于前瞻性陈述的特别说明

本新闻稿包括基于意法的半导体和/或/MACOM双方管理层当前掌握的观点、假设和信息的前瞻性声明。这些前瞻性陈述包括双方促进硅基氮化镓商业化和大规模生产的能力,以及相关产品是否能获得市场份额。
这些前瞻性声明反映了意法半导体和/或MACOM目前对未来事件的看法受到风险、不确定性、假设和环境变化的影响,这些变化可能会导致这些事件或我们的实际活动或结果与任何前瞻性声明中表达的非常不同。尽管半导体和意法MACOM预期反映在前瞻性声明中是合理的,但不能保证未来的事件、结果、行动、业务量、业绩或成就。警告读者不要过分依赖这些前瞻性陈述。若干重要因素可能导致实际结果与前瞻性声明中指示的结果存在重大差异,包括但不限于最新的意法半导体Form 20-F报表中陈述的风险因素或MACOM向美国证券交易委员会提交Form 10-K年度报告和Form 10-Q风险因素所述的因素,如季度报告。无论是新信息、未来事件还是其他情况,双方都没有义务公开更新或修改任何前瞻性声明。


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