原子层沉积(ALD, Atomic Layer Deposition)该工艺是与当前和未来工艺节点相关的收缩以及在更复杂的设备几何形状上沉积薄层材料的关键技术。如今，随着技术节点以惊人的速度不断进步，准确有效地生成关键设备特性已成为一个持久的挑战。

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原子层沉积过程依靠专业的高性能原子层沉积阀在数百万脉冲中输送精确的化学剂量，形成材料层。输送这些脉冲化学剂量的阀门必须越来越精确和一致，以达到原子级精度和高生产率。世伟洛克一直致力于这一点，并不断更新ALD阀门使用寿命、响应时间、高温高流量应用和一致性指标的新高。

▲世伟洛克ALD一系列阀门开发过程▲

即将推出的世伟洛克ALD7超高纯隔膜阀是ALD 通过提高流量一致性、流通能力、执行机构响应速度和更高的温度性能，技术创新可以提高芯片产量。

ALD7.创造不妥协的精度

ALD7提供了阀门与阀门、进料与进料、腔室与腔室在超高循环寿命下的一致性。

l 在 ALD 应用中，ALD7 在数百万次循环中提供准确的进料

l 改进的执行机构技术使阀门执行速度快于行业标准技术，响应时间低至5ms

l 执行机构可以浸入 150°C，阀体的额定温度为 200°C，在高温和真空条件下提供一致的流量

l ALD7由世卫洛克专有的超高纯度阀体 316L VIM-VAR不锈钢构成，具有耐腐蚀性气体的能力

ALD7.性能更高，返工更少

与行业标准阀相比，ALD7 流通能力提高，但占用空间保持不变。紧凑的设计XPPower代理，在没有重大工艺变化的情况下，半导体制造商可以提高原设备的生产力。

l ALD7 可提供高达 0.7 的流量系数 (Cv) 并实现阀门与阀门之间准确、可重复的进料

l ALD7 与现有的世伟洛克保持一致 ALD 阀门相同的 1.5-inch占用空间

l 阀门有一个集成的热隔离器，缩短了阀门的整体尺寸，使系统设计师能够利用反应室附近的有限空间

新款 ALD7超高纯（UHP）即使与我们的旧阀门相比，隔膜阀也能提供一致的改进的性能。性能更高ALD在现有设备中更换阀门，无需重新设计。ALD7阀和其他世界伟大的洛克 ALD 阀门占用相同的空间，紧凑的阀门设计使工艺设计师能够尽可能地利用反应腔室附近的有限空间。

无论是集成到新设备还是现有设备中，ALD7 阀门为半导体设备 OEM 为提高芯片制造商的生产力，满足芯片日益增长的全球需求提供了一种简单的方法。在不增加运营成本的情况下，为制造商提供一致的性能，尽可能提高产量。

了解更多ALD7超高纯（UHP）您可以联系世伟洛克当地授权的销售和服务中心，包括如何提高芯片生产率。