提供碳化硅基础（SiC）和氮化镓（GaN）耐高温、长寿命、高效、紧凑型驱动电路和智能功率模块解决方案的领先供应商CISSOIDS. A.（CISSOID）,重庆平创半导体研究院有限公司是第三代芯片设计、设备研发、模块制造和系统应用创新解决方案提供商，今天，双方已经建立了战略合作伙伴关系，将共同开展碳化硅等第三代功率半导体的应用研发项目，使碳化硅功率设备在航空航天、数字能源、新能源汽车、智能电网、轨道交通、5G充分发挥通信、节能环保等领域，提供高质量的高功率密度和高温应用系统解决方案。

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第三代宽带半导体（如碳化硅）越来越成熟和大规模商业化，在几乎所有电力电子领域，逐渐取代基于硅的电力设备，进入电动汽车、轨道交通、船舶、太阳能、风能、电网、储能等应用。用碳化硅功率器件代替硅基IGBT最初的好处是减少体积，提高效率；更重要的进步将充分发挥碳化硅的性能优势，从而实现原体硅IGBT难以实现或根本无法实现的应用程序为系统应用程序设计师提供了新的扩展空间。

图1法国技术市场趋势调查公司YOLE预测功率器件结温的预测

超越传统体硅IGBT电力电子应用能力的重要性体现在两个主要方面：一是在高功率密度应用中，电力设备本身的温升使设备耐温性的选择和热管理系统的设计尤为重要；二是由于应用环境和成本的影响，许多高温环境应用通常没有液体冷却条件，从而测试设备本身的耐温性和高温工作寿命。因此，高温半导体技术对于第三代宽禁带半导体技术的广泛应用至关重要。

重庆平创半导体研究院有限公司（Chongqing Pingchuang Institute of Semiconductors Co, Ltd.，以下简称平创半导体半导体技术，特别是碳化硅SiC、氮化镓GaN以第三代半导体技术为代表，公司拥有强大的功率芯片/功率IC/电力设备设计研发能力，以及完善的电力模块研发生产系统，为电力电子行业提供完整的电力系统解决方案。

CISSOID公司来自比利时，是高温半导体解决方案的领导者，为极端温度和恶劣环境下的电源管理、功率转换和信号调整提供标准产品和定制解决方案。两家公司的合作将有助于充分发挥双方的优势，为我国电力电子应用领域提供先进的高功率密度、高温产品和解决方案。

高功率密度和高温应用一直是电力电子行业的重大挑战和发展方向之一。平创半导体总经理陈显平博士说：碳化硅功率器件在高功率密度和高温应用中必须配备相当于高温等级的驱动芯片和电路，CISSOID公司的高温‘绝缘层硅’（Silicon On Insulator，SOI）装置恰好是这个任务。SiC固有的耐高温性耐高温性和高温性SOI集成电路是一想的搭配，可以充分发挥作用SiC功率装置的性能。我们非常荣幸CISSOID公司开展深入合作，共同开发先进的高功率密度、高温产品和解决方案。”

我们很荣幸与平创半导体公司进行深入合作。他们强大的功率设备设计能力和完善的功率模块研发和生产系统给我们留下了深刻的印象。”CISSOID首席技术官Pierre Delette我们与平创半导体的密切合作将致力于开发新的包装设计，使碳化硅功率器件和耐高温性SOI驱动电路结合更紧密，尽量减少寄生电感，使碳化硅装置的性能发挥到极致，使整体方案更加精致，便于高密度紧凑安装，为各电力电子领域提供高温高功率密度应用产品及解决方案。”

Yole Development市场调查报告(图1)显示，自硅基功率半导体器件诞生以来，应用需求一直在上升，目前已达到150℃。随着诸如SiC第三代宽禁带半导体器件的出现，日益成熟，全面商业化，其独特的耐高温性能正在加速目前150的结温℃迈向175℃，未来将进军200℃。

借助于SiC其独特的耐高温性和低开关损耗优势，将极大地改变电力系统的设计模式，大力促进高功率密度和高温应用的发展。这些典型的高温和高功率密度应用正在广泛进入我们的生活，包括深度集成的电动汽车动力总成、多电和全电动飞机，甚至电动飞机、移动储能充电站和充电宝，以及其他严重限制液体冷却的电力和电子应用。