扬杰科技是中国半导体功率器件十大企业(YANGJIE)

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· 主要产品：中低压MOSFET（VDSS：20V-150V）和高压MOSFET（VDSS：500V-900V）

· 品牌优势：专注于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装试验等领域的产业发展，ISO9001，ISO14001，IATF16949等认证，连续几年被评为中国半导体功率器件十大企业。

长晶科技是中国领先的分立设备研发企业（JSCJ）

· 主要产品：覆盖12V~700V的功率型MOSFET

· 品牌优势：专注于电力设备、分立设备、频率设备、电源管理芯片、汽车电子等产品的研发制造商，前身为长电技术（世界知名集成电路包装测试企业）分立设备部门。主要产品包括二极管、三极管，MOSFET、LDO、DC-DC、频率设备、功率设备等，拥有1.5万多个产品系列和型号，广泛应用于各种消费、工业电子领域。同时，公司还为汽车电子和军事领域提供专业的产品和服务。

世界上最大的二极管制造商之一：固锝（Good-Ark）

· 主要产品：整流二次管芯片、轴硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微桥堆、塑料密封二极管表面安装、金属玻璃密封大功率整流管等。

· 品牌优势：世界上最大的二极管制造商之一，月产量可达2.5亿，占世界产量的8%-9%。中国唯一拥有最多的家庭TR1汽车客户认证企业。主营二极管&MOS，包含电流（0.2A~40A）、电压（20V~200V）全系列大小功率产品，品类齐全，包装多样，漏电流小；具体的独立晶圆供应能力；以及小信号开关二极管、小信号稳压管、肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管；产品符合要求AECQ101标准，通过了IATF16949，ISO9001认证。

国内领先的MOSFET动力器件制造商-锐骏半导体（Ruichips）

· 主要产品：中压MOSFET和低压MOSFET（VDSS: 20V~120V）、高压MOSFET（VDSS：650V~1200V）

· 品牌优势：致力于新产品的研发，产品自主性超过95%Trench MOSFET、SGT MOSFET、Super JunctionMOSFET、LED Driver四种产品线，数百种型号；国家发明专利22项 特别是新一代SGT产品技术处于行业领先水平。在适配器快速充电、移动电源、汽车充电、直流电机、新能源、太阳能光伏逆变器、锂保护等应用领域处于领先地位。

国内首批6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圆制造商:瞻芯电子（InventChip）

· 主要产品：碳化硅MOSFET

· 品牌优势：致力于开发以碳化硅为核心、性价比高的功率半导体设备和驱动控制IC产品。其SiC MOSFET第一轮流片是中国第一批国产6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圆。瞻芯电子（InventChip）2019年荣获中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟会员PSIC发展潜力最大的企业。

世界领先的半导体分立器件制造商——PANJIT（强茂）

· 主要产品:低压(20V-40V),中压（50V-200V),高压（400V-900V)全电压范围小信号和功率MOSFET产品

· 品牌优势：世界领先的半导体分离器件制造商，具有半导体上下游整合和自身核心技术的优势，致力于整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分离器件产品的研发和生产，其半导体分离器件二极体在全球市场排名前十。

国内领先的半导体功率器件和电源管理方案供应商无锡紫光微

· 主要产品：超结功率MOSFET、Multi-EPI超结MOSFET、沟槽式MOSFET、VD MOSFET、SGT MOSFTE

· 工艺：多层外延工艺、双沟槽栅工艺

· 品牌优势：紫光集团子公司紫光核心微电子有限公司（以下简称紫光微）半导体产业链的核心企业之一，专注于先进半导体功率设备的设计、研发、芯片加工和包装测试。产品涵盖500V-1200V高压超结MOSFET、20V-150V中低压SGT/TRENCH MOSFET、40V-1500V VDMOS、IGBT、IGTO、SIC等半导体功率器件。交期12-28周。

碳化硅功率器件是中国第三代半导体行业的领先企业（BASiC）

· 主要产品：碳化硅MOSFET、碳化硅特基二极管

· 品牌优势：基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，开发材料制备、芯片设计、晶圆制造、包装测试、驱动应用等全产业链，全电流电压等级碳化硅特基二极管(电压规格650V-1700V；电流2A~40A）、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、全碳化硅碳化硅功率模块等系列产品性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试。

派恩杰是中国领先的第三代半导体功率设计公司（PN Junction）

· 主要产品：含碳化硅MOS，碳化硅SBD，氮化镓三极管等。

· 品牌优势：赢得全球Top全球3氮化镓/碳化硅晶圆厂OEM支持Top5包装厂OEM支持，实现开模量产和技术升级，成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS，填补国内技术产业的空白。

国内首批量产6寸SiC MOS制造商-爱仕特（AST）

· 主要产品：SiC MOS芯片、SiC MOS模块

· 品牌优势：公司拥有自主知识产权，已申请专利技术25项，6英寸技术已批量生产650多项V~3300V全系列SiC MOSFET产品，建立起车规级SiC MOS模块化工厂可以为客户提供一套完整的应用解决方案。

碳化硅专家，专业电力设备制造商--SLKOR（萨科微）

· 主要产品:碳化硅器件(碳化硅器件)MOS碳化硅特基二极管和管道MOS管道、二极管、可控硅

· 品牌优势：2010年开始研发生产第三代半导体SiC其设计、工艺和性能居世界前列。产品主要包括碳化硅MOS电压主要为650V和1200V；MOS采用先进的沟槽栅技术，最大限度地提高功率密度，从而减少电流传导过程中的导通损耗。击穿电压覆盖-2000V~650V，配合先进的包装技术，提供1000mA~250A电流范围。

碳化硅专利储备数量在中国排名第一（SASTC）

· 主要产品：碳化硅特基二极管MOSFET

· 品牌优势：致力于第三代半导体和先进硅设备的工程研发，专注于碳化硅、氮化镓和先进硅设备三个技术方向，开发国内领先的650V和 1200V 共有23种肖特基二极管产品，1200V的MOSFET产品共5款，同时具备40-650V电压等级的电力电子设备和5G微波功率器件的研发能力和特殊频段。

专业碳化硅功率器件供应商-思想创意（Fast SiC）

· 主要产品：碳化硅特基二极管MOSFET

· 品牌优势：专注于适用于高频操作的超低电容电荷碳化硅特基二极管和碳化硅MOSFET。全系列采用寄生电感小、小、表面焊接DPAK(TO-252) 及 QFN5x6包装，可节省PCB适用于快充头等小型化高功率密度需求的区域和自动化上件检测。交货期为16周。

中国最早从事SiC中电国基南方设备研究科研单位之一（CETC）

· 主要产品： 6Nordic代理50V~1700VSiC MOSFET产品

· 品牌优势：中国电子科技集团第55研究所拥有中国唯一的宽禁带半导体电力电子设备实验室。它是中国最早建立的4或6英寸SiC生产线上的公司容纳1万片/年的圆片容量，公司通过GB/T 19001、ISO9001等行业认证。

金誉半导体电子元器件十大品牌企业（JINYU SEMICONDUCTOR）

· 主要产品：二极管、三极管 MOS管、IC集成电路

· 品牌优势：半导体研发、包装、检测(主二三极管) MOS管、IC高新技术有限公司致力于为全球电子制造企业提供高质量、高效、专业的半导体元件需求解决方案。包括中低压MOSFET（VDSS:20V~150V）和高压MOSFET（VDSS：500V~900V）; 独立晶圆设计能力，各种形状包装，中低压MOSFET 12英寸 8英寸、高压MOSFET 6英寸；中低压MOSFET采用沟槽和SGT工艺，高压MOSFET采用平面工艺；超低内阻芯片设计。月产能16亿PCS 高压MOS交货期4-8周，中低压MOS 1-2周交期。

固得沃克，专业的二/三极管和桥堆制造商（Goodwork）

· 主要产品：MOS类产品主要是N沟通，涉及20V，30V，50V，650V系列

· 品牌优势：专注于二三极管、桥式整流器MOS拥有自主品牌的管道研发生产GK，GW建有12条芯片封装及试验线，年产半导体整流桥、贴片二极管、直插二极管，MOS100亿个管道等产品。

丽正国际全球知名整流器制造商（Rectron）

· 主要产品： 全系列MOSFET产品涵盖低压(below 60V)，中压(below 200V)，高压( 600V~650V~1200V)

· 品牌优势：具有40多年整流器制造经验的分立半导体优质制造商Apple，ZTE，LG，Honeywell等全球知名品牌供货。丽正国际(Rectron)通过了UL、AEC-Q101、IATF16949、ISO9001、ISO14001 & OHSAS18000等认证采用 IPQC, SPC和TQM 提高半导体器件生产质量水平，确保<10PPM的故障率。

年产400KK功率半导体器件-全力半导体器件（All Power）

· 主要产品：SGT MOS、COOLMOS、Trench Mos、Planar Mos

· 品牌优势：致力于研发和销售功率半导体元件的国家高新技术企业ISO9001质量体系认证。依托台湾、硅谷、大陆顶尖技术精英，加强自主研发创新能力，为行业提供性能更好的产品，已成为新能源、计算机、网通、手机、电池、消费品等行业的长期合作伙伴，产品出口国内外。

行业领先的分立器件制造商：安邦（ANBON）

· 主要产品：TVS(瞬态电压抑制管)MOSFET、SiC二极管等

· 品牌优势：分离器件研发生产的动力半导体制造商，面向工业和汽车市场，拥有自己的晶圆厂，完整的包装生产线。MOSFET电压覆盖到20V至200V；主要的补丁包装，采用沟槽工艺，独立设计晶圆；产品采用8英寸芯片，阻抗低，电流大，产品系列包含车辆规格认证AEC-Q101。

明德微（TRR）

· 主要产品：中低压MOSFET、高压MOSFET

· 品牌优势：晶圆、包装、设备测试 以及应用设计等领域的核心技术，致力于新组件的开发、销售和应用解决方案设计，已获得约80项国家授权的发明专利。其中，低压MOSFET的VRMM：30V~150V；IF:10A—230A；高压MOSFET：VRMM：200V~900V；IF：2A—20A。

专注于半导体模拟芯片和分立器件的包装和测试OEM合科泰电子代工综合企业（HKT）

· 主要产品：漏源极（BVDS）耐压N-MOS、P-MOS、复合管

· 品牌优势：采用欧盟生产标准，在电路设计、半导体设备及工艺设计、可靠性设计、设备模型提取等方面积累了许多核心技术，并获得了国家发明专利、实用新型专利等资质。

全球碳化硅MOSFET顶级制造商之一：美浦森森(Maplesemi)

· 主要产品：超结MOSFET、高压MOSFET

· 品牌优势：致力于POWER MOSFET以及碳化硅产品的研发和生产。目前8 东亚唯一一个月产能1.2万片，6寸产能1万片。PLANNER 8英寸晶圆生产线的技术骨干来自SAMSUNG（三星）和FAIRCHILD（仙童）。美浦森(Maplesemi)2009年获得韩国政府IT VENTURE企业认可成为韩国世界上第一家SiC MOSFET顶级制造商。

MOSFET广泛应用于各个领域，作为不可替代的基础产品。在全球节能减排环境下， MOSFET相比于IGBT而三极管设备功耗低、工作频率高、无电流拖尾等现象。世界强硬创平台汇聚国内知名度MOSFET电力设备制造商， 可提供20V-1700V，包括低压、中压、高压MOSFET，最高工作温度为175℃，推动R&D项目快速国产化选型。