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CISSOID、NAC和Advanced Conversion三强联合开发高功率密度碳化硅(SiC)逆变器
(2024年12月21日更新)

高温半导体和功率模块的领导者CISSOID宣布,公司已NAC Group和Advanced Conversion(为严格应用提供高性能电容器的领导者)合作,提供紧凑优化的三相碳化硅(SiC)功率堆栈。结合了功率堆栈CISSOID的1200V SiC智能功率模块和Advanced Conversion的6组低ESR/ESL直流支撑(DC-Link)电容器可以进一步与控制板和液体冷却器集成,为电机驱动器提供高功率密度和高效率SiC逆变器的设计提供了一个完整的硬件和软件平台。

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CISSOID智能功率模块(IPM)三相1200平台集成V/340A-550A SiC MOSFET功率模块和耐温栅极驱动器可以实现低开关损耗和高功率密度。该平台可以通过控制板和算法进一步增强电机驱动器SiC逆变器提供实时处理、控制和功能安全。电源模块的导电Altera代理阻范围从2.53mOhm(毫欧)到4.19mOhm,这取决于额定电流。在600V/300A当总开关能量低至7时.48mJ(Eon)和7.39mJ(Eoff)。通过仔细调整功率模块与栅极驱动器的协同设计dV/dt优化控制快速开关固有电压过冲IPM,为实现最低开关能量。嵌入式栅极驱动解决方案与快速开关SiC晶体管的许多挑战:负驱动和有源米勒钳位置(AMC)可防止寄生导通;去饱和检测和软关断(SSD)能对短路事件做出快速安全的反应;锁定栅极驱动器和直流总线电压上的欠压(UVLO)该功能可以监控系统的正常运行。

Advanced Conversion6组直流支撑电容器机械安装在低电感母线上CISSOID的IPM上。一组电容值高达500μF、额定电压高达900V参考电容器可用于快速评估。基于Advanced Conversion环膜电容器也可以提供定制的解决方案,非常适合从表面安装到开关模块接口优化总线结构的应用场景。这种获得专利的方法与总线冷却相结合,可以提供非常高的每微法拉额定安培数,允许适应尽可能小的电容,同时最大限度地减少换相电路的电感。使用正确的开关模块和适当的连接设计,很容易实现小于5nH等效串联电感值。

直流支撑电容器是快速开关的大功率逆变器的关键部件,但在设计初期往往被忽视。然而,高效快速开关的宽带间隙设备需要精心设计的直流支撑总线拓扑结构和紧密集成的电容器。”NAC Group产品营销总监James Charlton表示。NAC Group与Advanced Conversion合作开发了一系列匹配CISSOID一起使用模块的套件。CISSOID首席技术官Pierre Delatte由于电容器套件,客户可以立即找到与我们快速开关的三相SiC IPM为了实现紧凑高效的电机驱动,完美匹配的高性能电容器可以加速其逆变器设计。”


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