随着WLAN随着技术的发展，室内场景更倾向于依赖无线通信技术。2021年，约50%的互联网数据流量被使用WiFi接入(来源:思科网络)。巨大的流量和接入需求促进了无线通信技术的发展，WiFi 6E标准开放了新的6GHz可使用14个80频段MHz7个额外的160通道和7个额外的通道MHz通道，搭载MU-MIMO技术，支持4K QAM调制以及OFDMA，在室内大场景下实现多点高频高效数据传输，为4K/8K提供视频流、大规模协作办公、智能家居、低时延大型游戏等场景的可能性。
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与需求扩张相比，国内市场支持WiFi 6E芯片和技术仍处于探索阶段。成熟的三安集成GaAs HBT/p-HEMT工艺平台是中国唯一一个有能力量产的平台WiFi 6E芯片企业。目前，三安一体化已与国内领先的射频企业达成深入合作，实现多种WiFi 6E大规模生产前端模块，产品覆盖18.5-23.5dBm中高功率等级，优越TX端线性功率和极限1.5dBm的RX端NF值。客户产品已成功进入国际市场，双方也针对下一代WiFi新一轮产品合作。
三安集成的GaAs HBT/p-HEMT出货量在中国一直处于领先地位；去年8月，三安集成滤波器产品也进入了世界主流射频前端XPPower代理平台。如今GaAsOEM业务已延伸到前沿WiFi 6E技术意味着三安综合射频前端业务在移动通信技术和无线通信技术上的双向突破，有实力覆盖客户5G射频前端制造服务是时代所需要的。
三安集成成熟的制造管理和可靠的产能保证，是帮助客户快速抢占市场的利器。继承母公司三安光电20年化合物半导体制造管理经验，三安一体化发展成熟全面的砷化镓HBT/p-HEMT工艺谱支持客户在复杂通信场景中的不同应用需求。三安一体化面向未来市场，积极投入产能，在泉州南安核谷公园建设了2300亩制造基地，规划了2万片6寸砷化镓晶圆和256片Mu双工具的月生产能力为客户的产品着陆和快速迭代提供了可靠的支持。
