先进合作研发硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构，量产

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利用IRT纳电子技术研究所的研究研究所的研究结果出发Leti的200mm研发线转到200意法半导体mm晶圆试生产线于2020年前投入运营

中国/24 Sep 2018

世界领先的半导体供应商横跨多重电子应用领域意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）和CEA Tech下属研究所Leti今天宣布合作开发硅基氮化镓（GaN）动力开关设备制造技术。硅基氮化镓动力技术将使意大利半导体能够满足混合动力和电动汽车充电器、无线充电和服务器等高、高功率的应用需求。

本合作项目的重点是2000年的开发和测试mm晶片上先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构。研究公司IHS2019年至2024[1]，该市场的复合年增长率将超过20%。半导体和意法Leti利用IRT纳电子研究所的框架计划在Leti的200mm工程样品验证有望于2019年完成。同时，意法半导体还将建立高质量的生产线，包括GaN / 计划2020年前在法国图尔前工艺晶圆厂首次生产硅异质外延工艺。

此外，鉴于硅基氮化镓技术对功率产品的吸引力，Leti高密度电源模块所需的先进电源模块所需的先进包装技术。

半导体汽车及分立器件产品部总裁Marco Monti在意识到宽带间隙半导体令人难以置信的价值后，意法半导体和CEA-Leti开始合作开发硅基氮化镓功率器件的制造和包装技术。ST通过市场检验的Transphorm代理本次合作之后，我们将进一步拥有行业内最完整的产品生产能力GaN和SiC产品与功能的结合。

Leti首席执行官Emmanuel Sabonnadiere表示：“Leti的团队利用Leti的200mm一般平台全力支持意大利半导体硅基氮化镓功率产品的战略规划，并准备将该技术转移到意大利半导体图尔工厂硅基氮化镓专用生产线。合作开发项目需要双方团队的共同努力IRT纳电子研究所的框架计划扩大所需的专业知识，从零开始创新设备和系统。”

编者注：
与硅等传统半导体材料相比，工作电压、频率和温度较高GaN设备的固有优势。除了功率氮化镓技术外，意大利半导体还在开发另外两种宽带间隙技术：碳化硅（SiC）还有射频氮化镓（GaN）。

在GaN领域除了与CEA-Leti除了合作，意法半导体不久前宣布与之合作MACOM合作开发射频硅基氮化镓技术MACOM非电信市场开发的各种射频产品和意大利半导体产品。两个研发项目都用GaN，很容易引起混淆，但这两种研发项目使用不同的结构和应用优势。例如，功率硅基氮化镓技术适用于200mm目前，射频硅基氮化镓至少更适合150mm在晶片上制造。无论如何，由于开关损耗低，GaN技术适用于制造更高频率的产品。

另一方面，碳化硅设备的工作电压较高，阻断电压超过1700V，雪崩电压额定值超过1800V，低通态电阻使其非常适合能效和热性能优异的产品。有了这些特性，SiC非常适合电动汽车、太阳能逆变器和焊接设备。

关于意法半导体
意法半导体（STMicroelectronics; ST）它是世界领先的半导体公司，提供与日常生活密切相关的智能、高效的产品和解决方案。意大利半导体产品无处不在，致力于实现智能驾驶、智能工厂、智能城市和智能家居，以及下一代移动和物联网产品。意法半导体主张科技引领智能生活（life.augmented）的理念。2016年，意大利半导体净收入69.7亿美元，全球客户超过10万。详情请浏览意大利半导体公司网站：www.st.com

关于Leti (法国)

小型技术领域使工业方案更加智能、节能、安全，CEA Tech技术研究院Leti世界领先。成立于1967年，Leti为国际企业、中小企业和初创企业提供定制化、差异化的应用方案，是微米和纳米技术的先驱。Leti探索解决医疗健康、能源和数字化面临的重大挑战。从传感器到数据处理和计算方案，Leti多学科团队为客户提供深厚扎实的专业知识和世界级的试生产设施。该研究所拥有1900多名员工，2700项专利，91500平方英尺无尘室，总部位于法国格勒诺布尔，在硅谷和东京设有办事处。 Leti已经成立了60家创业公司Carnot Institutes网络成员。

关注我们：www.leti.fr/en and @CEA_Leti.

CEA Tech法国新能源和原子能委员会（CEA）技术研究委员会是创新研发、国防安全、核能、工业和基础科学技术研究领域的重要参与者汤森路透社评为世界第二大创新研究组织。CEA Tech利用其独特的创新驱动文化和无与伦比的专业知识，开发和传播新的工业技术，帮助客户开发高端产品，提高市场竞争优势。

关于纳电子技术研究所（IRT）
Leti纳电子技术研究所（IRT）研发活动涉及信息和通信技术（ICT），特别是在微电子和纳米电子技术领域。总部位于法国格勒诺布尔，IRT纳米电子研究所利用该地区经过测试的创新生态系统，开发能够促进纳米电子未来发展的技术，促进新产品开发，为现有技术开发新的应用（如物联网）。IRT纳电子的研发活动可以让世界深入了解3D对集成电路的影响，如集成、硅光子学和功率器件。详情访问www.irtnanoelec.fr。

IRT纳电子研究所是法国政府 “Program Investissements d'Avenir计划企业获得政府资金支持，备案号为ANR-10-AIRT-05。