自12代酷睿诞生以来，除了CPU最受关注的是先进协议中的革命。一是全面支持PCIe5.0协议为下一代显卡和存储器提供了普及接口；二是全面引入新一代DDR5内存协议打破了多年内存产品性能和体验的停滞，引发了新一轮内存浪潮。

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关于前者，鉴于没有消费水平PCIe5.这里省略了0相关产品。今天，我们将重点介绍被称为内存行业革命的产品DDR5内存。

关于DDR5内存，大多数用户的直观感受是频率的提高，即由DDR4内存2133MHz起步频率倍增至4800MHz，甚至根据最新消息DDR后续内存的频率甚至达到60000MHz以上水准。就数值观感而言，DDR除了数值刺激，5确实是内存技术的大飞跃革命，从技术角度来看，DDR5内存主要有以下五个技术升级，其中最后一个出乎意料。

01等效频率成倍增加-跑得更快

DDR5最耀眼的技术升级是大家最能感受到的等效频率的提升，直接从2133开始MHz跨越式增长为48000MHz即使是现在DDR5.内存调参深入，6400MHz或将成为主流水平。

提高频率，使DDR5内存在理论跑分上有了质的飞跃，无论是读取测试、写入测试、复制、延迟，从跑分结果来看，DDR5无疑是超前，提升更是巨大。

DDR5内存跑分

DDR4内存跑分

对许多用户来说，这也是如此DDR5内存的第一印象也是最可接受的技术创新，即频率提升带来的跑分提升，使计算机理论上跑得更快。

02DRAM容量增加-容量更大

内存的DRAM容量也是这次DDR5内存技术改进的关键方向是JEDEC的DDR在规范中，单个内存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5时代，单颗Die的容量上到64Gb的高度。

换句话说，DDR4时代单条32GB可能是消费级内存的容量天花板，可以进入DDR5时代，标准规范的提高、工艺流程和内部设计的冗余，使单个32GB已经成为行业的主流标准，甚至是后续的64个单项GB，乃至于单条128GB，都将成为可能。

当然，上述容量规格的诞生也需要DDR进一步的进一步升级和优化，以及消费者用户的接受，是一个漫长的创新过程；但标准协议的诞生是内存容量扩展的积极信号。

03工作电压低-功耗低，超频强

如果说容量和性能的倍增是最显著的技术升级，那么下一步的内部技术升级和纠正就是在更深层次的迭代优化。

降低工作电压是重要环节。

DDR内存工作电压低至15.1V，对比DDR4最低1.2V工作电压降低了20%左右，其降低有两个重要意义。

一是功耗，特别是笔记本产品和企业级服务器产品，功耗降低20%，具有显著的节能意义；二是超频潜力和初始电压的降低，为后续超频调节提供了更大的可操作空间，可以进一步提高内存的超频潜力。

04On-die ECC下放-纠错能力更强，操作更稳定

事实上，随着晶圆光刻技术的不断改进，DRAM芯片密度的不断提高，增加了数据泄露、数据校正和数据错误的可能性。特别是在企业应用场景中，为了避免频繁发生数据错误，行业引入ECC为了规避风险，提高可靠性，降低缺陷率，纠错机制。

而全新DDR5内存，为了进一步稳定数据EverSpin代理类似企业级应用场景的传输和校正迎来了On-die ECC纠错机制可以动态纠正数据单位或数据编码错误，为用户日常应用的稳定性提供技术保障。这不仅是企业技术委托给消费场景的大胆尝试，也是企业技术委托给消费场景的大胆尝试DDR升级内存创新的重要产品。

05双32寻址通道 单通道变双通道延迟更低，效率倍增

最后一个重要的技术升级是引入双32位寻址通道，其基本原理是DDR5内存模块中的64位数据带宽分为两个带宽中的32位，有效提高了内存控制器和数据访问的效率，减少了延迟。

所以我们可以看到，单条DDR5内存插入电脑后，一些专业软件甚至直接识别为双通道内存，因为DDR5内存模块激进地将64位单通道转化为32位独立双通道的技术创新；当然，这种双通道设计与传统意义上的双通道相当不同，无法与传统意义上的两个内存形成的双通道进行比较，根据应用场景的性能差异，其改进效果也有所不同。

但总的来说，引入双32位寻址通道，对于降低寻址性能和延迟，有显著的提升作用，DDR从某种意义上说，整体性能的跃升与该技术密不可分。

06DDR新技术带来的思考

DDR自去年以来，内存一直处于风口浪尖。新技术的到来将不可避免地导致旧产品的脱节。新旧产品和新旧技术的更换是科技行业不可避免的事件。

对于从业者来说，快速理解和接受新技术和新技术是继续的基础；对于消费者来说，新技术不能喜欢或不乐观，但不能接受，你我的深技术跃进时代，不能阻止或隐藏，你说什么？