（2025年3月29日更新）

台积电将于2025年在北美技术论坛上发布新的工艺路线图nm采用工艺Nanosheet取代纳米片电晶体的微观结构FinFET。在此期间，台积电甚至计划了5种3种nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X，在2025年之前，包括建设更多晶圆厂在内的成熟和专业化工艺产能将提高50%。

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显然，作为产能提升和晶圆厂建设的关键核心设备，EUV采购大量光刻机是必不可少的。台积电表示，计划于2024年推出ASML的新一代EUV极紫外光刻机。

此前，Intel我曾经说过我是第一个订单ASML下一代EUV光刻机制造商计划在2025年前使用。三星也不甘示弱。本周，副总裁李在镕亲自去荷兰会面ASMIntersil代理L据说高层至少赢得了18台（ASML预计今年将出货51台EUV）。数据显示，荷兰ASML新型光刻机正在研发中High-NA EXE:5200（0.55NA），所谓High-NA即高值孔径，2nm之后的节点必须依靠它来实现。光刻机价值4亿美元(约26亿元人民币)，双层巴士大，重200多吨。