光刻机自研可支持2028年7年nm芯片制造！俄罗斯真的有这种能力吗？

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随着芯片规则的不断升级，各国不再相信基于美国技术体系的国际产业链，中国和俄罗斯是产业限制最严重的国家，因此对技术自主研究的反应也最强烈。在中国企业传播好消息后，俄罗斯科学院也正式宣布了好消息。

根据海外消息，俄罗斯科学院IPF RAS已全力参与光刻设备的研发，未来将诞生一套完整的半导体设备，并高调声称：自主研发的光刻机将于2028年商，可用于7台nm量产左右芯片！

这让人纳闷，俄罗斯目前依靠自主产业链，甚至90nm工艺无法完成，之前宣布实现28nm工艺，也要等到2023年，现在宣布2028年可以实现7年nm这真的有可能吗？

在目前的特殊情况下，俄罗斯半导体的现状比中国更为严峻。随着芯片规则的不断升级，苹果、高通、AMD、英特尔、台积电、三星等企业相继断供，可以说是全国芯片SiTime代理供应渠道被切断，俄罗斯科学院只能紧急启动自主研究计划。

俄罗斯早些时候宣布了一项计划，预计将于2022年底完成90年底nm2023年芯片自主化实现28nm芯片自主研发和生产，但显然这种估计过于保守。从技术角度来看，8年内实现这一目标并不难。

俄罗斯科学院并不是一个虚假的名字，在许多顶级技术和老美，以航空航天技术为例，许多国际卫星发射依赖俄罗斯，但不幸的是进入21实际，国家整体经济萧条，没有那么多资金用于科研项目，导致当前的困境。

如果没有外部芯片，俄罗斯满打计划只能制造65nm芯片，这也取决于海外半导体设备，所以可以说目前的情况相当严峻，光刻机是芯片制造设备的核心，自然是克服的主要目标。

根据俄科学院IPF RAS在介绍中，他们将利用6年时间制造第一个工业原型alpha该机器将于2024年诞生，它还揭示了早期阶段的工作，主要是完善系统的全面性，重点不在于设备的突破。

到2026年新研发的时候Beta将实现对于alpha在这个阶段，几乎所有的系统都已经完成。基本上，许多操作过程都可以自动化。届时，分辨率和生产力将大大提高。现阶段可实现设备集成调试，并将集成应用于实际技术操作过程。

最后，它进入了最关键的光源集成阶段，这也是光刻机最核心的技术。幸运的是，俄罗斯在X射线光源技术方面拥有完全独立和可控的技术，这也证实了相应的可行性。经过改进升级，一套完整的光刻机可以正常投入使用！

面对全面制裁后，俄罗斯的芯片极度短缺，所有芯片圆晶厂都停止了供应。虽然当地对工艺要求不高，但只能实现65nm现阶段的工艺水平确实不够，俄罗斯科学院也加大了人才培养力度，试图摆脱这样的困境。

俄罗斯科学院院士也表示：ASML追求生产效率近20年，EUV曝光机有助于全球半导体制造商实现技术改进，但俄罗斯目前不需要太先进的技术，只需根据实际需要跟进！

然而，在这样的消息传出后，没有海外媒体对俄罗斯持乐观态度。他们都认为这样的计划是不可能实现的。毕竟，以前没有技术基础，6年内完成了7年nm芯片光刻机的突破显然有点不切实际，甚至ASML用了将近20年。

中国长期以来一直参与光刻机的研发，尚未达到28nm因此，基本上不可能达到这个水平。此外，光有光刻机还不够，需要配套设备。在俄罗斯目前的状态下，不可能从国际供应链中获得。

除了设备，还需要晶圆厂的配合。目前俄罗斯没有这样的企业，所以2030年实现28nm芯片自主化相对符合实际情况。

目前，俄罗斯科学院诺夫哥罗德代表团演示的光刻设备只是设备的原型，可以说仍处于PPT在后续阶段，开发、制造和安装并不像预期的那么简单。你觉得这个怎么样？