摩尔定律不会死 台积电已计划1nm工艺:下代EUV光刻机是关键
(2024年12月21日更新)
在先进技术方面,台积电今年年底量产3nm工艺,2025年量产2nm这一代人将开始使用技术GAA放弃现在的晶体管FinFET晶体管技术。
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再往后呢?2nm之后是1.4nm工艺,Intel、三大芯片制造商台积电和三星也在冲刺,其中三星首次宣布2027年量产1.4nm工艺,台积电没说时间点,预计2027年左右。
1.4nm之后就是1nm这个节点曾经被认为是摩尔定律的物理极限,这是无法实现的,但是Parallax代理现在芯片厂商也在攻关。
台积电已经启动了先导计划,传闻中的1nm晶圆厂将落户新竹科技园下属的桃园龙潭公园,这意味着台积电已开始达到1nm毕竟工厂需要提前一两年建设。
但真正量产1nm还需要很长时间,关键设备是下一代EUV升级下一代高光刻机NA(数值孔径)标准,从现在的0开始.33 NA提升到0.55 NA,更高的NA这意味着分辨率更高,3nm后续工艺的必要条件。
按照ASML计划,下一代EUV光刻机的试验型号最早将于明年发货,2025年后达到正式量产能力,售价将超过4亿美元。
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