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贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET,为各种电源应用提供更好的支持
(2024年10月30日更新)

引进业内知名新产品,提供超丰富的半导体和电子元件 (NPI) 经销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 分销从现在开始UnitedSiC(现已被Qorvo收购)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为的高性能SiC FET该系列产品,第四代设备具有优异的导电阻特性,适用于主流800V电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。

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贸泽电子分销UF4C/SC SiC FET为设计师提供多种导电阻和包装选项。1200 V SiC FET的导通电阻 (RDS(on)) 值为23mΩ至70mΩ,可采用三引线TO-247-3L包装或四引线TO-247-4L封装。TO-247-4L开尔文栅极包装,具有超低栅极电荷和优异的反向恢复特性,Bourns代理非常适合开关感性负载和任何需要标准格栅极驱动的应用。

UF4C/SC所有系列设备均可使用标准0V至12V或15V栅极驱动电压安全驱动,在不改变栅极驱动电压的情况下成为硅IGBT、FET或适当替代超级结装置。UF4C/SC SiC FET其他主要特征包括:通过真实的5V阈值电压保持良好的阈值噪声容量,出色的反向恢复特性和内置特性ESD栅极保护钳位。


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