3nm弯道超车台积电后 三星2nm工艺蓄势待发:3年后量产
(2024年12月21日更新)
三星在6月的最后一天宣布3nm该工艺正式量产。这一次,三星终于领先台积电,率先量产新一代工艺,弯道超车,后者3nm量产将于今年下半年进行。
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据三星官方介绍,3nm在芯片上,它放弃了以前的芯片FinFET采用新的架构GAA晶体管架构大大提高了芯片的功耗性能。
与5nm新开发的3nm GAE该工艺可降低功耗45%,面积16%,性能23%。
第二代的3nm GAP该工艺可降低50%的功耗,提高30%的性能,同时减少35%的面积,效果更好。
以后呢?三星也有计划,3nm GAP过程结束后将迎来2nm GAP工艺也是基于纳米片技术的GAA晶体管,但结构进一步优化,从3个纳米片提升到4个,可提高驱动电流,优化堆叠结构,提高性能,降低功耗。
2nm GAP工艺量产时间也定了,预计2025年量产,时间Megawin代理间点与台积电量产2nm工艺差不多,由于台积电的2nm在晶体管密度上挤压牙膏的过程只有10%。
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