高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)全球电力产品和电动汽车充电站供应商飞宏宣布(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD该公司采用氮化镓技术。采用这种适配器Transphorm的SuperGaN第四代技术是氮化镓场效应管(FET)平台具有系统设计简单、元件数量少、性能高、可靠性一流等优点。

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飞宏的65W51 x 55.3 x 29 mm)，配备两个USB-C端口和一个USB-A端口(2C1A)，三台设备可同时充电。该充电器采用单个650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG，采用准谐振反激模式(QRF)与拓扑结构的硅解决方案相比，功率损失可减少约17%。该适配器还提供高达655W的USB PD和PPS功能。

TP65H300G4LSG是240毫欧，通过JEDEC认证的PQFN88表面贴装器件，具有±18V栅极安全裕度。FET是建立在QRF、有源钳位反激模式(ACF)或LLC谐振拓扑结构150W或以下低功率应用的理想选择。

Transphorm的TP65H300G4LSG与硅类似的阈值水平和高栅极击穿电压(最大±18 V）。无负偏置电压，可与现成的控制器(包括带集成驱动器的控制器)配合使用。这些功能可以简化电源系统的设计，消除对额外外围电路的需求，减少元件数量，增加整个系统的可靠性，飞宏决定使用Transphorm FET关键原因。

飞宏生产各种可靠的电源解决方案，深受电子设备公司的信赖。公司对氮化镓功率密度优势的理解使其决定建立一个新的氮化镓适配器。Transphorm的氮化ISSI代理镓FET它具有简单的设计性和驱动性，并且具有高栅极鲁棒性，因此飞宏很快决定选择Transphorm作为氮化镓器件的合作伙伴。

根据Facts and Factors预计到2026年，全球交流转直流适配器市场规模将达到18.54亿美元，年复合增长率为12.7%。Transphorm最近在5月份的报告中也表示，其240毫欧器件的发展势头正在加强，公司获得了亚洲大型手机(65W)项目和领先WW电子零售商(140W)项目的ODM预生产订单。此外，该公司的市场份额增长也得益于另一个笔记本适配器设计项目，成功赢得了财富前100强企业，其中包括5万个SuperGaN 240毫欧FET初始采购订单。这些FET可以为65W快速充电适配器应用程序提供更高的效率，竞争对手e-mode氮化镓FET需要更大的150毫欧装置来满足类似应用程序的需求。因此，这些Transphorm SuperGaN FET使客户能够使用更小的设备来实现更强的性能。

Transphorm亚太销售副总裁Kenny Yim说：我们的SuperGaN平台从一开始就围绕可靠性、可设计性、可驱动性和可重复性四个关键原则构建。我们的240毫欧装置也不例外。我们让适配器制造商设计体积小、重量轻、发热少的产品，并提供先进的前沿USB充电功能。这些创新正在促进氮化镓在全球适配器市场的应用，使我们能够通过大规模生产来支持高性能的解决方案，从而巩固我们的市场地位。”

TP65H300G4LSG目前过得捷电子和贸泽电子获得。

关于飞宏

飞宏是开发世界级电源解决方案和电动汽车充电产品的全球领导者。他有50多年的成熟经验，年收入超过6亿美元。公司继续为电动汽车和医疗、数据通信、电信、个人电子设备和网络市场充电OEM制造商提供领先的解决方案。飞宏拥有6500多名员工，在加州、纽约、荷兰、中国大陆、日本、越南和台湾设有设计实验室、生产设施和销售支持中心。

关于Transphorm

Transphorm, Inc.它是氮化镓革命的全球领导者，致力于高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件的设计、制造和销售。Transphorm拥有最大功率氮化镓知识产权组合之一，拥有或授权的专利超过1000项，率先在业内生产JEDEC和AEC-Q高压氮化镓半导体器件101认证。由于业务模式的垂直整合，Transphorm设计、制造、设备和应用支持可以在产品和技术开发的各个阶段进行创新。Transphorm为了使效率超过99%，提高功率密度40%，降低系统成本，创新正在突破硅的局限性。Transphorm总部位于加州戈利塔，在戈利塔和日本会津设有制造工厂。