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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-236AB
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
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BSH103,215 技术参数详情：
- 制造商产品型号：BSH103,215
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：不適用於新設計
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：850mA（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 500mA，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：400mV @ 1mA（最小）
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.1nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：83pF @ 24V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：540mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：TO-236AB
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