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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-236AB
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
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BSN20BKR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：BSN20BKR
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：265mA（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.8 欧姆 @ 200mA，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.49nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：20.2pF @ 30V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：310mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：TO-236AB
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