- 制造厂商:Nexperia(安世半导体)
- 类别封装:FET,MOSFET - 单-晶体管,TO-261-4,TO-261AA
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 10A SOT223
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BSP030 技术参数详情:
- Nexperia公司器件型号:BSP030,115
- 制造商:Nexperia(安世半导体)
- 功能总体描述:MOSFET N-CH 30V 10A SOT223
- 所属类别:FET,MOSFET - 单-晶体管
- 系列:TrenchMOS??
- 零件状态:已经停产
- FET 类型:N 沟道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):770pF @ 24V
- Vgs(最大值):-
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):8.3W(Tc)
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 5A,10V
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装
- Nexperia公司标准封装:SOT-223
- 封装形式:TO-261-4,TO-261AA
- BSP030的标准包装数量(SPQ):5000 PCS
- BSP030优势代理货源,国内领先的Nexperia芯片采购服务平台。
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