- 制造厂商:Nexperia(安世半导体)
- 类别封装:FET,MOSFET - 单-晶体管,TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 技术参数:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
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BUK662R7-55C 技术参数详情:
- Nexperia公司器件型号:BUK662R7-55C,118
- 制造商:Nexperia(安世半导体)
- 功能总体描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
- 所属类别:FET,MOSFET - 单-晶体管
- 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
- 零件状态:在售
- FET 类型:N 沟道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源极电压(Vdss):55V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):258nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):15300pF @ 25V
- Vgs(最大值):±16V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):306W(Tc)
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2.7 毫欧 @ 25A,10V
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装
- Nexperia公司标准封装:D2PAK
- 封装形式:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- BUK662R7-55C的标准包装数量(SPQ):800 PCS
- BUK662R7-55C优势代理货源,国内领先的Nexperia芯片采购服务平台。
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