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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：FET，MOSFET - 单-晶体管，28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
- 技术参数：MOSFET N-CH 55V 28SOIC
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BUK9GTHP-55PJTR 技术参数详情：
- Nexperia公司器件型号：BUK9GTHP-55PJTR,51
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 功能总体描述：MOSFET N-CH 55V 28SOIC
- 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
- 系列：-
- 零件状态：在售
- FET 类型：N 沟道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源极电压（Vdss）：55V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装
- Nexperia公司标准封装：28-SO
- 封装形式：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
- BUK9GTHP-55PJTR的标准包装数量(SPQ)：- PCS
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