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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技术参数：NHDTC114ET/SOT23/TO-236AB
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NHDTC114ETR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NHDTC114ETR
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 描述：NHDTC114ET/SOT23/TO-236AB
- 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：80V
- 电阻器-基极(R1)：10 kOhms
- 电阻器-发射极(R2)：10 kOhms
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：50 @ 10mA，5V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：100mV @ 500μA，10mA
- 电流-集电极截止（最大值）：100nA
- 频率-跃迁：170MHz
- 功率-最大值：250mW
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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