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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：FET，MOSFET - 阵列-晶体管，8-SO
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1
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PHN203 技术参数详情：
- Nexperia公司器件型号：PHN203,518
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 功能总体描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1
- 所属类别：FET，MOSFET - 阵列-晶体管
- 系列：TrenchMOS??
- 零件状态：在售
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压（Vdss）：30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.3A
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：14.6nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：560pF @ 20V
- 功率 - 最大值：2W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装
- 封装形式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- Nexperia公司标准封装：8-SO
- PHN203的标准包装数量(SPQ)：10000 PCS
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