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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-XFDFN
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
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PMCXB1000UEZ 技术参数详情：
- 制造商产品型号：PMCXB1000UEZ
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 描述：MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 和 P 沟道互补型
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：590mA（Ta），410mA（Ta）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：670 毫欧 @ 590mA，4.5V，1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.05nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：30.3pF @ 15V，43.2pF @ 15V
- 功率-最大值：285mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：6-XFDFN
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