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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：FET，MOSFET - 阵列-晶体管，SOT-666
- 技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
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PMDT670UPE 技术参数详情：
- Nexperia公司器件型号：PMDT670UPE,115
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 功能总体描述：MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
- 所属类别：FET，MOSFET - 阵列-晶体管
- 系列：汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?
- 零件状态：在售
- FET 类型：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压（Vdss）：20V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：550mA
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：850 毫欧 @ 400mA，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.14nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：87pF @ 10V
- 功率 - 最大值：330mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装
- 封装形式：SOT-563，SOT-666
- Nexperia公司标准封装：SOT-666
- PMDT670UPE的标准包装数量(SPQ)：4000 PCS
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