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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：FET，MOSFET - 阵列-晶体管，6-TSSOP
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
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PMGD290XN 技术参数详情：
- Nexperia公司器件型号：PMGD290XN,115
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 功能总体描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
- 所属类别：FET，MOSFET - 阵列-晶体管
- 系列：TrenchMOS??
- 零件状态：在售
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压（Vdss）：20V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：860mA
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 200mA，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.72nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：34pF @ 20V
- 功率 - 最大值：410mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装
- 封装形式：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- Nexperia公司标准封装：6-TSSOP
- PMGD290XN的标准包装数量(SPQ)：3000 PCS
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