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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DFN0606-3（SOT8001）
- 技术参数：MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
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PMH1200UPEH 技术参数详情：
- 制造商产品型号：PMH1200UPEH
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：520mA（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 410mA，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：0.95V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：33pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：380mW（Ta），2.8W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DFN0606-3（SOT8001）
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