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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：FET，MOSFET - 单-晶体管，8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 7.9A 8-SOIC
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PMK50XP 技术参数详情：
- Nexperia公司器件型号：PMK50XP,518
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 功能总体描述：MOSFET P-CH 20V 7.9A 8-SOIC
- 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
- 系列：TrenchMOS??
- 零件状态：在售
- FET 类型：P 沟道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源极电压（Vdss）：20V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1020pF @ 20V
- Vgs（最大值）：±12V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：5W（Tc）
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 2.8A，4.5V
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装
- Nexperia公司标准封装：8-SO
- 封装形式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- PMK50XP的标准包装数量(SPQ)：2500 PCS
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