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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：FET，MOSFET - 单-晶体管，6-UDFN
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
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PMPB40SNA 技术参数详情：
- Nexperia公司器件型号：PMPB40SNA,115
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 功能总体描述：MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
- 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
- 系列：-
- 零件状态：已经停产
- FET 类型：N 沟道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源极电压（Vdss）：60V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12.9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：24nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：612pF @ 30V
- Vgs（最大值）：-
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.7W（Ta），12.5W（Tc）
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：43 毫欧 @ 4.8A，10V
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装
- Nexperia公司标准封装：6-DFN2020MD（2x2）
- 封装形式：6-UDFN
- PMPB40SNA的标准包装数量(SPQ)：3000 PCS
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