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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：FET，MOSFET - 单-晶体管，TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
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PMV213SN 技术参数详情：
- Nexperia公司器件型号：PMV213SN,215
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 功能总体描述：MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
- 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
- 系列：TrenchMOS??
- 零件状态：在售
- FET 类型：N 沟道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源极电压（Vdss）：100V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：330pF @ 20V
- Vgs（最大值）：±30V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：280mW（Tj）
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 500mA，10V
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装
- Nexperia公司标准封装：TO-236AB（SOT23）
- 封装形式：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- PMV213SN的标准包装数量(SPQ)：3000 PCS
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