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- 制造厂商:Nexperia(安世半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:DFN1006B-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
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PMZB300XN,315 技术参数详情:
- 制造商产品型号:PMZB300XN,315
- 制造商:Nexperia(安世半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):1A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):380 毫欧 @ 200mA,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):0.94nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):51pF @ 20V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:DFN1006B-3
- PMZB300XN,315优势代理货源,国内领先的Nexperia芯片采购服务平台。
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