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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：FET，MOSFET - 单-晶体管，3-XFDFN
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
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PMZB350UPE 技术参数详情：
- Nexperia公司器件型号：PMZB350UPE,315
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 功能总体描述：MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
- 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
- 系列：-
- 零件状态：在售
- FET 类型：P 沟道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源极电压（Vdss）：20V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.9nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：127pF @ 10V
- Vgs（最大值）：±8V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：360mW（Ta），3.125W（Tc）
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 300mA，4.5V
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装
- Nexperia公司标准封装：3-DFN1006B（0.6x1）
- 封装形式：3-XFDFN
- PMZB350UPE的标准包装数量(SPQ)：10000 PCS
- PMZB350UPE优势代理货源，国内领先的Nexperia芯片采购服务平台。
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