- 制造厂商:Nexperia(安世半导体)
- 类别封装:FET,MOSFET - 单-晶体管,3-XFDFN
- 技术参数:MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
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PMZB670UPE 技术参数详情:
- Nexperia公司器件型号:PMZB670UPE,315
- 制造商:Nexperia(安世半导体)
- 功能总体描述:MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
- 所属类别:FET,MOSFET - 单-晶体管
- 系列:-
- 零件状态:在售
- FET 类型:P 沟道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):680mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.14nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):87pF @ 10V
- Vgs(最大值):±8V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc)
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):850 毫欧 @ 400mA,4.5V
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装
- Nexperia公司标准封装:3-DFN1006B(0.6x1)
- 封装形式:3-XFDFN
- PMZB670UPE的标准包装数量(SPQ):10000 PCS
- PMZB670UPE优势代理货源,国内领先的Nexperia芯片采购服务平台。
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