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- 制造厂商：松下半导体
- 类别封装：JFET结点场效应，SC-89，SOT-490
- 技术参数：JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3
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2SK2593GQL 技术参数详情：
- 制造商产品型号: 2SK2593GQL
- 制造商：松下半导体（Panasonic Electronic Components）
- 功能总体简述: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3
- 系列: -
- FET 类型: N 沟道
- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）: -
- 漏源极电压（Vdss）: 55V
- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）: 1mA @ 10V
- 漏极电流（Id） - 最大值: 30mA
- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）: 5V @ 10μA
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 6.5pF @ 10V
- 电阻 - RDS（开）: -
- 安装类型: 表面贴装
- 产品封装: SC-89，SOT-490
- 供应商器件封装: SS迷你型3-F3
- 功率 - 最大值: 125mW
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